MRF6V10010N

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF6V10010NR4 1090 MHz, 10 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 960 and 1400 MHz, 1% to 20% duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.




Скачать: MRF6V10010N

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.