MRF6V10250HS

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF6V10250HSR3 1090 MHz, 250 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 1030 and 1090 MHz, 1% to 20% duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.




Скачать: MRF6V10250HS

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.