MRF8P29300H

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

RF Power transistors designed for applications operating at frequencies between 2700 and 2900 MHz. These devices are suitable for use in pulsed applications.




Скачать: MRF8P29300H

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.