MRFE6VP5300N

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

MRFE6VP5300N and MRFE6VP5300GN are high ruggedness devices that are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio




Скачать: MRFE6VP5300N

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.