A2G22S160-01S

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

A2G22S160-01S 1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor Data Sheet

NXPВ® 32 W RF power GaN transistor designed for cellular base station applications covering the frequency range of 1800 to 2200 MHz.




Скачать: A2G22S160-01S

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.