MRF8S23120H

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF8S23120HR3, MRF8S23120HSR3 2300-2400 MHz, 28 W Avg., 28 V LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for LTE base station applications with frequencies from 2300 to 2400 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.




Скачать: MRF8S23120H

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.