MW6S004N

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MW6S004NT1 1-2000 MHz, 4 W, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.




Скачать: MW6S004N

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.