MRF9100

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF9100LR3, MRF9100LSR3 900 MHz, 110 W, 26 V GSM/EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 921 to 960 MHz, the high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common source




Скачать: MRF9100

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.