MRF6S18060

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:49

MRF6S18060MR1, MRF6S18060MBR1 1800-2000 MHz, 60 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.




Скачать: MRF6S18060

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.