MRF6S9160H

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:49

MRF6S9160HR3, MRF6S9160HSR3 880 MHz, 35 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.




Скачать: MRF6S9160H

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.