MRF5S9101N

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF5S9101NR1, MRF5S9101NBR1, 869-960 MHz, 100 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.




Скачать: MRF5S9101N

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.