MRF5S9080N

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1 869-960 MHz, 80 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.




Скачать: MRF5S9080N

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.