MMRF1316N

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MMRF1316NR1 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

The MMRF1316NR1 is a high ruggedness device and is designed for use in VSWR military, aerospace and defense, radar and radio communications applications. It is an unmatched input and output design




Скачать: MMRF1316N

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.