MRF8S9100H

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF8S9100HR3, MRF8S9100HSR3 920-960 MHz, 72 W CW, 28 V GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.




Скачать: MRF8S9100H

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.