MRF7S18125AH

Автор: Tonich от 13-02-2020, 16:48

MRF7S18125AHR3, MRF7S18125AHSR3 1805-1880 MHz, 125 W CW, 28 V GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications, with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulations.




Скачать: MRF7S18125AH

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.